K
Khách

Hãy nhập câu hỏi của bạn vào đây, nếu là tài khoản VIP, bạn sẽ được ưu tiên trả lời.

1 tháng 7 2017

Chọn đáp án B.

Để xảy ra được hiện tượng quang điện thì năng lượng của ánh sáng kích thích phải đủ lớn, ít nhất phải đạt được bằng công thoát e của kim loại. Vậy để không xảy ra hiện tượng quang điện thì năng lượng photon ε < A

10 tháng 3 2016

Giới hạn quang điện là bước sóng lớn nhất chiếu vào kim loại mà gây ra hiệu ứng quang điện phụ thuộc vào bản chất kim loại nên đáp án là B

23 tháng 5 2018

Chọn A.

Không xảy ra hiện tượng quang điện nếu  ε < A .

18 tháng 2 2016

Hệ thức Anh -xtanh trong hiện tượng quang điện

\(hf = A_1+W_{đ1}.(1)\)

\(hf = A_2+W_{đ2}.(2)\)

Ta có  \(A_1 = \frac{hc}{\lambda_{01}}; A_2 = \frac{hc}{\lambda_{02}}\)

           \( \lambda_{02} = 2\lambda_{01}=> A_1 = 2A_2. \)

Trừ vế với vế của phương trình (1) cho phương trình (2) ta có

=> \(0= A_1-A_2+W_{đ 1}-W_{đ 2}.\)

=> \(W_{đ2}=( A_1-A_2)+W_{đ1} = A_2+W_{đ1}\)

Mà \(A_2 >0\) => \(W_{đ2} > W_{đ1}\).

31 tháng 5 2017

Gia tốc cực đại: \(a_{max}=\omega^2.A=(2\pi.2,5)^2.0,05=12,3m/s^2\)

5 tháng 1 2016

Khi nói hiện tượng quang điện thì hiểu là quang điện ngoài, với hiện tượng quang điện ngoài thì năng lượng để giải phóng e khỏi bề mặt kim loại gọi là công thoát.

Năng lượng giải phóng e khỏi liên kết bán dẫn cùng bản chất với công thoát trong hiện tượng quang điện (ngoài)

Do vậy, năng lượng phô tôn \(\ge\) năng lượng giải phóng e khỏi liên kết chất bán dẫn.

5 tháng 1 2016

Công thoát > năng lượng giải phóng e khỏi liên kết bán dẫn được hiểu là: công thoát trong hiện tượng quang điện ngoài > công thoát của hiện tượng quang điện trong.

O
ongtho
Giáo viên
28 tháng 2 2016

\(hf_1 = A+\frac{1}{2}mv_1^2=>\frac{1}{2}mv_1^2= hf_1-A .(1)\)

\(hf_2 = A+\frac{1}{2}mv_2^2= A+4\frac{1}{2}mv_1^2 .(2)\)Do \(v_2=2 v_1\)

Thay phương trình (1) vào (2) =>

 => \(hf_2 = A+4.(hf_1-A)\) 

=> \(3A= 4hf_1-hf_2\)

=> \(A = \frac{h.(4f_1-f_2)}{3}.\)

 

Từ hệ thức Anh-xtanh ta có:
_ Với bức xạ \(\lambda_1:\)\(\frac{hc}{\lambda}=A+\frac{1}{2}mv^2_1\left(1\right)\)
_Với bức xạ \(\lambda_2:\)\(\frac{hc}{\lambda_2}=A+\frac{1}{2}mv^2_2\left(2\right)\)
Từ (1) và (2) \(\Rightarrow m_e=\frac{2hc}{v^1_2-v^2_2}\left(\frac{1}{\lambda_1}-\frac{1}{\lambda_2}\right)\)

1 tháng 3 2016

ok

ừ hệ thức Anh-xtanh ta có:
_ Với bức xạ λ1:hcλ=A+12mv21(1)λ1:hcλ=A+12mv12(1)
_Với bức xạ λ2:hcλ2=A+12mv22(2)λ2:hcλ2=A+12mv22(2)
Từ (1) và (2) ⇒me=2hcv21−v22(1λ1−1λ2)⇒me=2hcv12−v22(1λ1−1λ2).

25 tháng 2 2016

Số lượng photon đến bản A bằng năng lượng của chùm photon chia cho năng lượng mỗi photon

 

\(N=\frac{Pt}{\varepsilon}\)

 

Số lượng electron bật ra là

 

\(N'=N.H=0,01N\)

 

Số electron đến bản B là

 

\(N''=\frac{q}{e}=\frac{It}{e}\)

 

Tỉ lệ số photon rời A đến được B là

 

\(\frac{N''}{N'}=\frac{I\varepsilon}{eHP}\approx0,218\)

 

Phần trăm rời A mà không đến B là

 

\(\text{1-0.218=0.782=78.2%}\)

25 tháng 2 2016

Khi tăng điện dung nên 2,5 lần thì dung kháng giảm 2,5 lần. Cường độ dòng trễ pha hơn hiệu điện thế \(\pi\text{/}4\) nên

 

\(Z_L-\frac{Z_C}{2,5}=R\)

 

Trường hợp đầu tiên thì thay đổi C để hiệu điện thế trên C cực đại thì

 

\(Z_LZ_C=R^2+Z^2_L\)

 

\(Z_LZ_C=\left(Z_L-\frac{Z_C}{2,5}\right)^2+Z^2_L\)

 

Giải phương trình bậc 2 ta được

\(Z_C=\frac{5}{4}Z_L\) hoặc \(Z_C=10Z_L\) (loại vì Zl-Zc/2.5=R<0)

\(R=\frac{Z_L}{2}\)

 

Vẽ giản đồ vecto ta được \(U\) vuông góc với \(U_{RL}\) còn \(U_C\) ứng với cạch huyền

 

Góc hợp bởi U và I bằng với góc hợp bởi \(U_L\) và \(U_{LR}\)

 

\(\tan\alpha=\frac{R}{Z_L}=0,5\)

 

\(\sin\alpha=1\text{/}\sqrt{5}\)

 

\(U=U_C\sin\alpha=100V\)

 

\(U_o=U\sqrt{2}=100\sqrt{2}V\)

chọn C

25 tháng 2 2016

A