Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ. A. 833 nm. B. 888 nm. C. 925 nm. D. 756...
Đọc tiếp
Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.
A. 833 nm.
B. 888 nm.
C. 925 nm.
D. 756 nm.
Chỗ đặt mối hàn mà kim điện kế lệch nhiều nhất, chính là một vân sang, vậy i = 0,5mm
Do đó
Đáp án A